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DR的分類

2024-11-20 來源:醫(yī)學(xué)考試在線 瀏覽次數(shù): 發(fā)布者:王老師

       “DR的分類”為了幫助大家了解,小編整理如下:

       按X線曝光方式分類,DR系統(tǒng)按曝光方式分為面成像技術(shù)和線掃描成像技術(shù),這兩種技術(shù)的主要差別是在探測(cè)器采集方式上的不相同。

       1.面曝光成像方式

       面成像技術(shù)的主要特點(diǎn)是探測(cè)器的設(shè)計(jì)采用大面積的面陣探測(cè)器,也稱為平板探測(cè)器(flat plane detector,F(xiàn)PD):面成像技術(shù)的另一特點(diǎn)是在X線曝光的瞬間,一次性的同時(shí)采集到被檢人體區(qū)域信息。

       目前,使用面成像方式的探測(cè)器包含非晶硅、非晶硒等平板探測(cè)器、CCD探測(cè)器三種。

       2.線曝光成像方式

       線掃描成像技術(shù)采用線陣成像的方法。X線曝光時(shí),X線照射野呈扇形方式垂直于人體,并沿人體長(zhǎng)軸方向,以勻速掃描方式通過人體檢查區(qū)域。線陣探測(cè)器與X線管同步移動(dòng),透過人體的X線按照時(shí)間順序連續(xù)不斷地被線陣探測(cè)器采集,然后經(jīng)過數(shù)字轉(zhuǎn)換和處理,傳送到計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)重建,形成數(shù)字化X線圖像。

       目前,使用線曝光方式的探測(cè)器主要有多絲正比電離室氣體探測(cè)器、閃爍晶體/光電二極管線陣探測(cè)器和固態(tài)半導(dǎo)體/CMOS線陣探測(cè)器。

       按能量轉(zhuǎn)換方式分類:DR最常用的分類方法按照X線探測(cè)器能量轉(zhuǎn)換方式進(jìn)行分類,主要有直接轉(zhuǎn)換方式和間接轉(zhuǎn)換方式兩種。

       (1)直接轉(zhuǎn)換方式:直接數(shù)字X線攝影是光導(dǎo)半導(dǎo)體材料采集到X線光子后,直接將X線強(qiáng)度分布轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的電信號(hào)。目前常用的光導(dǎo)半導(dǎo)體材料為非晶硒,碘化鉛,碘化汞,碲砷鎘,溴化鉈,碲化鎘和碲鋅鎘。目前已使用的主要為非晶硒平板探測(cè)器和碲化鎘/碲鋅鎘線陣探測(cè)器。

       (2)間接轉(zhuǎn)換方式:間接數(shù)字X線攝影先由某種閃爍發(fā)光晶體物質(zhì)吸收X線光子能量后以可見熒光的形式將能量釋放出來,經(jīng)空間電路傳遞,由發(fā)光二極管采集,轉(zhuǎn)換后獲得可測(cè)量的電信號(hào)。其發(fā)光晶體物質(zhì)主要有碘化銫和氧化釓。已經(jīng)用在X線探測(cè)器上的主要有非晶硅平板探測(cè)器,電荷耦合器件探測(cè)器,互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體探測(cè)器等。

       以上“DR的分類”由博傲小編整理,希望對(duì)大家有所幫助!

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