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DR設(shè)備基本構(gòu)造及其特性
(一)DR的分類
按X線曝光方式分類,DR系統(tǒng)按曝光方式分為面成像技術(shù)和線掃描成像技術(shù),這兩種技術(shù)的主要差別是在探測(cè)器采集方式上的不相同。
1.面曝光成像方式:面成像技術(shù)的主要特點(diǎn)是探測(cè)器的設(shè)計(jì)采用大面積的面陣探測(cè)器,也稱為平板探測(cè)器(flat plane detector,F(xiàn)PD):面成像技術(shù)的另一特點(diǎn)是在X線曝光的瞬間,一次性的同時(shí)采集到被檢人體區(qū)域信息。
目前,使用面成像方式的探測(cè)器包含非晶硅、非晶硒等平板探測(cè)器、CCD探測(cè)器三種。
2.線曝光成像方式:線掃描成像技術(shù)采用線陣成像的方法。X線曝光時(shí),X線照射野呈扇形方式垂直于人體,并沿人體長(zhǎng)軸方向,以勻速掃描方式通過人體檢查區(qū)域。線陣探測(cè)器與X線管同步移動(dòng),透過人體的X線按照時(shí)間順序連續(xù)不斷地被線陣探測(cè)器采集,然后經(jīng)過數(shù)字轉(zhuǎn)換和處理,傳送到計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)重建,形成數(shù)字化X線圖像。
目前,使用線曝光方式的探測(cè)器主要有多絲正比電離室氣體探測(cè)器、閃爍晶體/光電二極管線陣探測(cè)器和固態(tài)半導(dǎo)體/CMOS線陣探測(cè)器。
按能量轉(zhuǎn)換方式分類:DR最常用的分類方法按照X線探測(cè)器能量轉(zhuǎn)換方式進(jìn)行分類,主要有直接轉(zhuǎn)換方式和間接轉(zhuǎn)換方式兩種。
(1)直接轉(zhuǎn)換方式:直接數(shù)字X線攝影是光導(dǎo)半導(dǎo)體材料采集到X線光子后,直接將X線強(qiáng)度分布轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的電信號(hào)。目前常用的光導(dǎo)半導(dǎo)體材料為非晶硒,碘化鉛,碘化汞,碲砷鎘,溴化鉈,碲化鎘和碲鋅鎘。目前已使用的主要為非晶硒平板探測(cè)器和碲化鎘/碲鋅鎘線陣探測(cè)器。
(2)間接轉(zhuǎn)換方式:間接數(shù)字X線攝影先由某種閃爍發(fā)光晶體物質(zhì)吸收X線光子能量后以可見熒光的形式將能量釋放出來,經(jīng)空間電路傳遞,由發(fā)光二極管采集,轉(zhuǎn)換后獲得可測(cè)量的電信號(hào)。其發(fā)光晶體物質(zhì)主要有碘化銫和氧化釓。已經(jīng)用在X線探測(cè)器上的主要有非晶硅平板探測(cè)器,電荷耦合器件探測(cè)器,互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體探測(cè)器等。
(二)DR設(shè)備的基本構(gòu)成
DR設(shè)備是一種高度集成化的成像設(shè)備。組件主要包括5個(gè)相對(duì)獨(dú)立的單元,即X線發(fā)生單元、X線采集單元、攝影架/床單元、信息圖像處理單元。
1.X線發(fā)生單元 DR的X線發(fā)生單元是傳統(tǒng)X線機(jī)的延續(xù),由于X線探測(cè)器提高了X線利用率,DR所采用的X線發(fā)生器的功率可適當(dāng)降低。
2.X線采集單元 X線探測(cè)器是數(shù)字化X線機(jī)的核心部件。在目前臨床使用的DR設(shè)備中,不同類型的X線探測(cè)器采用不同的工作原理,負(fù)責(zé)完成X線信息采集,能量轉(zhuǎn)換、量化,信息傳輸?shù)瘸上襁^程。
(1)非晶硅平板探測(cè)器 非晶硅平板探測(cè)器有兩種基本類型,一種是以碘化銫晶體材料作為X線轉(zhuǎn)換介質(zhì),另一種是以硫氧化釓作為X線能量轉(zhuǎn)換介質(zhì)。
探測(cè)器由X線接收器、命令處理器和外接電源組成。
探測(cè)器的結(jié)構(gòu)從上到下有6層:
①保護(hù)層:以鋁板或碳板為上層面板,起到固定和保護(hù)的作用。
②反射層:反射層是一層白色的反光膜,作用是保證可見光在晶體內(nèi)形成全反射,以減少光能損失,提高X線利用率。
③閃爍晶體層:CsI閃爍體層的厚度為400~500μm,其輸出開口界面緊密地覆蓋在微電極板表面。CsI閃爍體層的作用是吸收X線并將X線能量轉(zhuǎn)換為熒光。
④探測(cè)元陣列層:根據(jù)使用需要,制作成不同面積的非晶硅光電二極管像素矩陣,矩陣上的每個(gè)光電二極管與TFT原件作為一個(gè)像素單元。探測(cè)器陣列的作用是捕獲可見熒光并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
⑤信號(hào)處理電路層:采集信號(hào)讀出電路由放大器、多路A/D轉(zhuǎn)換器和相應(yīng)控制電路等組成。信號(hào)處理電路讀出每個(gè)像素產(chǎn)生的電信號(hào),并量化為數(shù)字信號(hào),傳送到計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理。
⑥支撐層:玻璃板基板為支撐層,起支撐和保護(hù)作用。
(2)非晶硒平板探測(cè)器 非晶硒平板探測(cè)器與非晶硅平板探測(cè)器一樣也為多層結(jié)構(gòu),所不同的是非晶硒平板探測(cè)器沒有熒光轉(zhuǎn)換層。它的X線交互層是由光導(dǎo)半導(dǎo)體(photo-conductor)材料構(gòu)成,目前常用的材料有非晶硒(a-Se)、碲砷鎘(CeZnTe)、碘化鉛(PbI)和碘化汞(HgI),已經(jīng)商品化的探測(cè)器都是采用非晶硒。利用光導(dǎo)半導(dǎo)體材料俘獲入射的X線光子,直接將接收到的X線轉(zhuǎn)換成電信號(hào),再由二維排列的薄膜晶體管TFT陣列將產(chǎn)生的電信號(hào)讀出即可獲得數(shù)字化的X射線影像,這種工作方式最大優(yōu)點(diǎn)是完全克服了在非直接轉(zhuǎn)換DR探測(cè)器中存在有增感屏或閃爍體中的光線散射造成的圖像模糊效應(yīng),有非常高的空間分辨率。
(3)CCD型X線探測(cè)器:電荷耦合器件(charge coupled device,CCD)是一種模擬信號(hào)累積型圖像傳感器,其基本結(jié)構(gòu)是MOS光敏元陣列和讀出移位寄存器。采用CCD器件作為DR探測(cè)器,其組件由大面積CsI晶體平板、反射鏡面/透鏡、定焦鏡頭、CCD芯片和相應(yīng)配套的電子線路等構(gòu)成。目前,CCD型DR主要有多塊CCD和單塊CCD兩種探測(cè)器。
3.攝影架/床單元 攝影架依其機(jī)械結(jié)構(gòu)類型有島嶼式,天吊(懸吊)式,U 形臂式,C形臂式等,每一種類型都賦予了特定的空間運(yùn)動(dòng)自由度。
根據(jù)臨床使用特點(diǎn)和用途,DR攝影架常有多種組合模式:立柱式X線管組件支架+立柱式;懸吊式X線管組件支架+立柱式是;懸吊式X線管組件支架+可升降浮動(dòng)平床+立柱式;組合可旋轉(zhuǎn)U形臂,單懸吊式X線管組件支架+可移動(dòng)支撐立柱+專用可升降浮動(dòng)平床;雙懸吊支架+專用可升降的浮動(dòng)平床等。
探測(cè)器與攝影架存在兩種組合模式,可為固定式,也可為移動(dòng)式(有線方式和無線方式)。
4.信息/圖像處理單元 是一個(gè)數(shù)字處理終端,具有獲取病人信息、顯示圖像、處理圖像、發(fā)送圖像、存儲(chǔ)圖像、膠片打印、質(zhì)量控制等功能。
(三)DR優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
1.工作流程快
X線曝光后幾秒即可顯示出數(shù)字化 X線圖像,整個(gè)攝影流程在15~20秒內(nèi)完成,且探測(cè)器工作性能穩(wěn)定,適合大流通量檢查。
2.信號(hào)損傷少
X線直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào),減少了中間環(huán)節(jié)。且X線曝光時(shí)間一般僅為數(shù)毫秒,與普通屏/片攝影系統(tǒng)相比,其偽影幾乎可以忽略不計(jì)。
3.圖像失真小 平板探測(cè)器覆蓋野大(43cm×35cm或43cm×43cm),照射野與信息采集野比為1:1,影像區(qū)域沒有光學(xué)縮微造成的幾何失真,影像的空間位置真實(shí)。
4.輻射劑量低 平板探測(cè)器具有高量子探測(cè)效率,需要的攝影條件低,對(duì)病人是一種保護(hù)。
5.圖像動(dòng)態(tài)范圍寬 圖像具有12bit以上灰階深度,寬動(dòng)態(tài)范圍為各種圖像后處理技術(shù)奠定了基礎(chǔ),特別是對(duì)低劑量的X線的探測(cè)能力,對(duì)病變的早期診斷有重要的臨床意義。
6.可動(dòng)態(tài)觀察
高幀速,快速的圖像刷新能力使平板探測(cè)器可以達(dá)到5f/s以上的采集速率,為圖像的動(dòng)態(tài)采集(如平板DSA)提供了保證。
主要不足:
1.對(duì)環(huán)境條件(溫度,濕度)要求較高,容易造成不可逆的損壞,且損壞探測(cè)器不容易維修,維護(hù)成本高。
2.信號(hào)有丟失,探測(cè)器填充系數(shù)不高,資料顯示有10%~40%的原始信息丟失。有的為拼板(不完整的Csl層)板拼接處有信號(hào)丟失。
3.高頻信號(hào)采集能力較差。
4.探測(cè)器暴露在X線下,抗射線損壞的能力較差。
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